鋁碳化硅數(shù)控加工機(jī)床

鋁碳化硅這種高端的陶瓷材料現(xiàn)在被越來(lái)越多的人知道，主要還是被用在電子芯片的封裝，目前用途逐漸的被開(kāi)發(fā)出來(lái)，難點(diǎn)在于鋁碳化硅的數(shù)控加工上并沒(méi)有很好的辦法，鑫騰輝數(shù)控針對(duì)這種陶瓷材料的特性專(zhuān)門(mén)研制改進(jìn)了陶瓷數(shù)控精雕機(jī)，在數(shù)控加工鋁碳化硅的加工速度上，和數(shù)控機(jī)床的使用壽命上都有了非常巨大的進(jìn)步，鋁碳化硅數(shù)控加工機(jī)床陶瓷精雕機(jī)廠家聯(lián)系電話(huà)：139-234-13250。

機(jī)床特點(diǎn)：

?高強(qiáng)度機(jī)床結(jié)構(gòu)，輕松應(yīng)對(duì)各類(lèi)硬質(zhì)陶瓷的磨削。

?全密閉分區(qū)設(shè)計(jì)，陶瓷磨削加工區(qū)和電器組件區(qū)分離，更好清理更好保護(hù)機(jī)床。

?雙層防護(hù)，Y軸采用不銹鋼防護(hù)板以及風(fēng)琴式防護(hù)罩雙層設(shè)計(jì)，有效防范陶瓷粉塵侵?jǐn)_。

?轉(zhuǎn)角雙開(kāi)門(mén)，安全門(mén)開(kāi)啟角度更大，方面拿取工件。

機(jī)床功能：

自動(dòng)換刀系統(tǒng)：本機(jī)可選裝自動(dòng)換刀系統(tǒng)，該系統(tǒng)具備高速自動(dòng)換刀功能，換刀速度快且刀庫(kù)容量大，能夠有效提升加工效率，節(jié)約人力成本。

24小時(shí)不間斷運(yùn)行：TC650陶瓷精雕機(jī)系列機(jī)床，能夠?qū)崿F(xiàn)24小時(shí)連續(xù)不間斷工作，充分利用每一分鐘，滿(mǎn)足用戶(hù)高負(fù)荷用機(jī)需求。

精密自動(dòng)對(duì)刀：只需一鍵操作，即可完成刀具的自動(dòng)對(duì)刀，方便快捷。

免編程打孔系統(tǒng)：自主研發(fā)的免編程打孔系統(tǒng)可以幫助用戶(hù)實(shí)現(xiàn)“傻瓜式”操作，無(wú)需通過(guò)CAD/CAM軟件編寫(xiě)刀路，同時(shí)利用該系統(tǒng)還能實(shí)現(xiàn)對(duì)陶瓷材料的銑牙。

產(chǎn)品實(shí)拍圖：

陶瓷精雕機(jī)的應(yīng)用：

      TC650陶瓷精雕機(jī)是一款專(zhuān)門(mén)針對(duì)特種陶瓷精密加工也研發(fā)的CNC數(shù)控機(jī)床。它主要的加工對(duì)象就是各類(lèi)硬脆材料，如：氧化鋯、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氮化鋁、鎢鋼等等。這些材料目前主要應(yīng)用于5G通訊、航空航天、石油化工、醫(yī)療器械、紡織配件、手機(jī)蓋板等多個(gè)領(lǐng)域。

5G濾波器

      5G濾波器一般是陶瓷介質(zhì)，因此在生產(chǎn)這類(lèi)濾波器的過(guò)程中就多了一道對(duì)陶瓷體的精密加工。這道加工工序離不開(kāi)CNC機(jī)床，TC650陶瓷精雕機(jī)針對(duì)這道工序?qū)ｉT(mén)設(shè)計(jì)了一套高效快捷的“免編程”控制系統(tǒng)，大幅提升生產(chǎn)效率。

手機(jī)蓋板

       陶瓷手機(jī)蓋板是一種以氧化鋯為主要成分的陶瓷制品，它的硬度很高，要想對(duì)其進(jìn)行加工就必須有一臺(tái)合適的機(jī)床。TC650陶瓷精雕機(jī)系列就是一款非常合適的設(shè)備。

結(jié)構(gòu)陶瓷以及鎢鋼等

       結(jié)構(gòu)陶瓷、功能陶瓷等陶瓷制品的種類(lèi)繁多，他們的成分也根據(jù)產(chǎn)品的性能要求各有不同，加工時(shí)也要有不同的工藝，采用TC650陶瓷精雕機(jī)您一樣可以輕松搞掂。對(duì)于“鎢鋼”這類(lèi)硬質(zhì)合金的加工同樣可以采用該設(shè)備進(jìn)行精密加工。

聯(lián)系方式：

東莞市望輝機(jī)械有限公司

聯(lián)系人：許先生

聯(lián)系電話(huà)：139 234 13250

廠址：東莞市大朗鎮(zhèn)犀牛陂村瓦窯街35號(hào)

網(wǎng)址：www.ooxlzx.cn

鋁碳化硅及其在電子封裝中的應(yīng)用鋁碳化硅AlSiC (有的文獻(xiàn)英文縮略語(yǔ)寫(xiě)為SiCp/ Al或Al/SiC、SiC/Al)是一種顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料，采用Al合金作基體，按設(shè)計(jì)要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作增強(qiáng)體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。AlSiC研發(fā)較早，理論描述較為完善， 有品種率先實(shí)現(xiàn)電子封裝材料的規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，滿(mǎn)足半導(dǎo)體芯片集成度沿摩爾定律提高導(dǎo)致芯片發(fā)熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發(fā)展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、軍用射頻系統(tǒng)芯片等封裝方面作用極為凸現(xiàn)，成 為封裝材料應(yīng)用開(kāi)發(fā)的重要趨勢(shì)。
  1、封裝AlSiC特性

封裝金屬材料用作支撐和保護(hù)半導(dǎo)體芯片的金屬 底座與外殼，混合集成電路HIC的基片、底板、外 殼，構(gòu)成導(dǎo)熱性能最好，總耗散功率提高到數(shù)十瓦, 全氣密封性，堅(jiān)固牢靠的封裝結(jié)構(gòu)，為芯片、HIC提 供一個(gè)高可靠穩(wěn)定的工作環(huán)境，具體材料性能是個(gè)首 選關(guān)鍵問(wèn)題。常用于封裝的電子金屬材料的主要特性

在長(zhǎng)期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標(biāo)準(zhǔn) 化、系列化，存在的主要缺陷是無(wú)法適應(yīng)高性能芯片 封裝要求。例如，Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金）的CTE低，與芯片材料相近， 但其K值差、密度高、剛度低，無(wú)法全面滿(mǎn)足電子 封裝小型化、高密度、熱量易散發(fā)的應(yīng)用需求。合金 是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素 所組成的金屬材料，具有其綜合的優(yōu)勢(shì)性能。隨之發(fā) 展的 M080 Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金 在熱傳導(dǎo)方面優(yōu)于Kovar，但其比重大于Kovar，仍不適合用作航空航天所需輕質(zhì)的器件封裝材料。

常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝 需求存在性能上的差距，使得研發(fā)一種新型輕質(zhì)金屬 封裝材料,滿(mǎn)足航空航天用器件封裝成為急需，引發(fā) 相關(guān)部門(mén)調(diào)試重視。經(jīng)過(guò)近些年來(lái)的深入研究，AlSiC 取得產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展，相繼推動(dòng)高硅鋁合金Si/Al實(shí)用化 進(jìn)程，表2示出其主要性能與常用封裝材料的對(duì)比。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結(jié)合成AlSiC后，可克服目前金屬封裝材料的不足，獲得高K值、低 CTE、高強(qiáng)度、低密度導(dǎo)電性好的封裝材料。

從產(chǎn)業(yè)化趨勢(shì)看，AlSiC可實(shí)現(xiàn)低成本的、無(wú)需進(jìn)一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導(dǎo)石墨等）的經(jīng)濟(jì)性并存集成，滿(mǎn)足大批量倒裝芯片封 裝、微波電路模塊、光電封裝所需材料的熱穩(wěn)定性及散溫度均勻性要求，同時(shí)也是大功率晶體管、絕緣柵雙極晶體管的優(yōu)選封裝材料，提供良好的熱循環(huán)及可靠性。
  2、封裝AlSiC類(lèi)型

封裝金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體有數(shù)種，SiC是其中應(yīng)用最為廣泛的一種，這是因?yàn)樗哂袃?yōu)良的熱性能，用作顆粒磨料技術(shù)成熟，價(jià)格相對(duì)較低；另一方 面，顆粒增強(qiáng)體材料具有各向同性，最有利于實(shí)現(xiàn)凈 成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分?jǐn)?shù)(含量) 及分布和粒度大小，以及Al合金成分。依據(jù)兩相比例或復(fù)合材料的熱處理狀態(tài)，可對(duì)材料熱物理與力學(xué)性能進(jìn)行設(shè)計(jì)，從而滿(mǎn)足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分?jǐn)?shù)尤為重要，實(shí)際應(yīng)用時(shí)，AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配，為 此SiC體積百分?jǐn)?shù)vol通常為50%?75%,表3示出某廠家產(chǎn)業(yè)化凈成形AlSiC級(jí)別的詳細(xì)情況。

此外，AlSiC可將多種電子封裝材料并存集成， 用作封裝整體化，發(fā)展其他功能及用途。研制成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊（Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC預(yù)制件中，通過(guò)金屬Al 熔滲制作并存集成的封裝基片。在AlSiC并存集成過(guò)程中，可在最需要的部位設(shè)置這些昂貴的快速散熱材料，降低成本，擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，嵌有快速散熱材料的AlSiC倒裝片系統(tǒng)正在接受測(cè)試和評(píng)估。另外，還可并存集成48號(hào)合金、Kovar和不銹鋼等材料，此類(lèi)材料或插件、引線、密封環(huán)、基片等，在熔滲之前插入SiC預(yù)成形件內(nèi)，在AlSiC復(fù)合成形過(guò)程中，經(jīng)濟(jì)地完成并存集成，方便光電器件封裝的激光連接。
采用噴射沉積技術(shù)，制備了內(nèi)部組織均勻、性能優(yōu)良、Si含量髙達(dá)70wt% (重量百分率）的高硅鋁合金SiAl封裝材料，高硅鋁合金CE牌號(hào)的性能如表4所示，由于其CTE與Si、GaAs較匹配，也可用于射頻、微波電路的封裝及航空航天電子系統(tǒng)中，發(fā) 展為一種輕質(zhì)金屬封裝材料。